利用CVD方法生长石墨烯薄膜是一种常见的技术方案。该方案是最为接近柔性电子器件应用的石墨烯制备方法。但目前CVD方法生长的石墨烯速度慢，单晶度不高，单晶薄膜的尺寸不大。利用某些特定氧化物（二氧化硅、石英等）提供微量的氧，可以有效加速铜箔上石墨烯的快速生长，因而可以快速长出大片层单晶薄膜。该课程在弄清楚该原理的基础上，要求能够成功制备出大片层石墨烯并实现其转移。 课程考核方式：制备出CVD石墨烯并实现其转移。